[뉴스투데이=전소영 기자] SK하이닉스가 올해 이어 내년에 생산할 HBM(고대역폭메모리)도 대부분 솔드아웃(Sold-out)되면서 HBM 시장 1위로서 위상을 공고히 했다.

SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 한 기자간담회를 개최하고 AI 메모리 기술력 및 시장 현황을 비롯해 청주, 용인, 미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 발표했다.

용인 클러스터 첫 팹 준공(2027년 5월)을 3년 앞두고 진행된 이날 행사에는 곽노정 대표이사 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(D램개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조/기술 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO) 등 주요 경영진이 참석해 자리를 빛냈다.

간담회는 곽 사장의 오프닝(Opening) 발표를 시작으로 김주선 사장의 ‘AI 메모리 비전‘, 최우진 부사장의 ‘SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진’, 김영식 부사장의 ‘청주 M15x 및 용인 클러스터 투자’ 등 3개 발표 세션 등으로 구성됐다.

곽노정 사장은 SK하이닉스의 원대한 꿈과 경쟁력, 그리고 비전 달성을 위한 전략을 공유했다.

곽 사장은 “현재 AI는 데이터센터 중심이지만, 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 On-Device AI로 빠르게 확산될 것”이라며 “이에 따라 AI에 특화된 ‘초고속·고용량·저전력‘ 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것으로 보인다”고 전망했다.

이어 “이에 따라 당사는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보했다”며 “앞으로 글로벌 파트너사들과의 전략적인 협업을 통해 세계 최고의 고객맞춤형 메모리 솔루션을 제공하겠다”고 밝혔다.

그는 또 “현재 당사 HBM은 생산 측면에서 보면, 올해 이미 솔드아웃인데 내년 역시 거의 솔드아웃됐다”며 “HBM 기술 측면에서는 당사는 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비하고 있다”고 말했다. 

최우진 부사장은 SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진에 대해 발표했다. 

SK하이니스가 확보한 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나가 MR-MUF 기술이다. 이 기술은 High Stack에서 한계를 보일 수 있다는 의견이 있지만 실제로는 그렇지 않으며 Adv. MR-MUF기술로 이미 HBM3 12Hi 제품을 양산하고 있다는 게 SK하이닉스의 설명이다.

MR-MUF 기술은 과거 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 줄이고, 공정시간을 단축해 생산성을 4배로 향상시키며, 열 방출도 45% 개선한다. 특히 최근 도입한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 계승하되 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 개선했다.

최 부사장은 “어드밴스드 MR-MUF는 칩의 휨 현상 제어(Warpage control)에도 탁월한 고온·저압 방식으로 고단 적층에 가장 적합한 솔루션”이라며 “16단 구현까지 순조롭게 기술 개발 중”이라고 설명했다.

이어 “HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 계획이며 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술 역시 선제적으로 검토하고 있다”고 덧붙였다,

SK하이닉스는 이날 청주 M15x 및 용인 클러스터 투자 계획도 공유했다.

용인 클러스터는 총 415만㎡(약 126만 평) 규모 부지에 회사 팹 56만평, 소부장 업체 협력화 단지 14만 평, 인프라 부지 12만 평 등이 조성될 예정이다.

김영식 부사장은 “팹 4기를 순차적으로 이곳에 구축할 계획이며, 협력화 단지에는 국내외 소부장 업체들이 입주해 SK하이닉스와 협업해 반도체 생태계를 키워갈 예정”이라며 “클러스터 부지 조성은 순조롭게 진행 중이고 첫 팹이 들어설 1단계 부지 조성 공사 진척률은 약 42%로 차질없이 일정 진행되고 있다”고 설명했다.

또 최근 발표한 청주 M15x 건설은 빠르게 증가하는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 캐파를 확대하기 위한 취지로 추진하게 됐다고 밝혔다. 

M15x는 연면적 6만 3,000평 규모의 복층 팹으로, EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이다.

김 부사장은 “TSV 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산 효율을 극대화할 수 있다”며 “지난달 M15x 팹 건설 공사를 시작했으며 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어간다”고 말했다.