전소영 기자 입력 : 2024.09.03 16:09 ㅣ 수정 : 2024.09.03 16:09
독자 패키징 기술로 HBM 에너지 효율·열 방출 압도적인 제품 경쟁력 확보 HBM4E 부터는 커스텀 성격 강해져… 글로벌 파트너들과의 협력도 지속
[뉴스투데이=전소영 기자] SK하이닉스가 독자적인 패키징 기술을 통해 고객 맞춤형 차세대 HBM(고대역폭메모리)으로 시장을 리드하겠다는 자신감을 내비쳤다.
이강욱 SK하이닉스 PKG개발 담당 부사장은 3일 대만 타이베이에서 개최된 ‘세미콘 타이완’에서 ‘AI 시대를 대비하는 HBM과 어드밴스드 패키징 기술’을 주제로 세션 발표에 나섰다.
발표 내용에 따르면 AI와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시대에는 데이터 트래픽(Traffic)이 빠르게 증가해 메모리 대역폭 향상에 대한 요구가 커지고 있다. 메모리 성능에서 오는 시스템 병목 현상을 극복하기 위한 현존 최고 사양의 D램은 HBM으로 이는 AI 시스템의 훈련, 추론에도 가장 적합하다.
HBM은 AI 서버와 고성능 컴퓨팅용 메모리로 광범위하게 채택되는 추세다. 응용제품(Application)에 따라 다르지만 HBM 세대가 발전하며 훈련, 추론 AI 서버에 적용되는 평균 채택 숫자도 더 증가할 것으로 예상된다.
HBM 성능 발전에 따라 AI 시장 내 HBM 수요 역시 더 늘어날 것으로 전망된다. 생성형 AI 시장은 2023년부터 2032년까지 연평균 27% 성장이 예상된 가운데, HBM 시장은 2022년부터 2025년까지 연평균 109%의 성장이 점쳐진다.
이 같은 시장 흐름에 맞춰 HBM 분야 리더인 SK하이닉스는 2015년 업계 최초로 HBM 제품을 양산했다. 이어 최고 성능의 HBM 제품들을 세계 최초로 출시하면서 업계를 이끌고 있다.
이 부사장은 “2025년에는 HBM4 12단 제품도 출시할 예정”이라며 “SK하이닉스는 독자적으로 개발한 혁신적인 패키징 기술을 통해 HBM 제품의 에너지 효율과 열 방출 측면에서 압도적인 제품 경쟁력을 겸비하고 있다”고 설명했다.
SK하이닉스가 HBM 제품에 적용한 MR-MUF 패키징 기술은 낮은 본딩(칩 접합) 압력·온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 타 공정 대비 유리하다는 평가다.
이 부사장은 “HBM3와 3E 8단 제품에 MR-MUF, 12단 제품에 Advanced MR-MUF기술을 적용해 양산 중이며 내년 하반기 출하 예정인 HBM4 12단 제품에도 Advanced MR-MUF를 적용할 예정”이라고 말했다.
이어 “16단 제품을 위해 Advanced MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두에 대한 준비를 하고 있으며 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 선택할 계획”이라고 부연했다.
한편 SK하이닉스는 HBM4 및 이후 세대 제품 개발을 준비 중이다.
대역폭, 용량, 에너지 효율 측면에서의 기술적 난제들을 해결하기 위해 2.5D 및 3D SiP(System in Package) 패키징 등을 포함 다양한 대응 방안을 살피고 있다.
또 HBM4E 부터는 커스텀(Custom) 성격이 강해질 것으로 판단, 다양한 고객 요구에 효율적으로 대응하기 위한 생태계 구축을 목표로 글로벌 파트너들과의 협력도 지속적으로 강화하고 있다.