[뉴스투데이=양대규 기자] SK하이닉스가 EUV(극자외선) 노광장비를 이용해 10나노급 4세대 D램(DRAM)을 양산한다. 

EUV 장비는 네덜란드 ASML이 개발한 제품으로 10나노 이하의 미세 공정에 주로 사용된다. SK하이닉스 외에는 국내 삼성전자와 대만 TSMC가 5나노 이하의 초미세 공정 시스템 반도체 생산에 주로 사용하고 있다.

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다.

LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)는 스마트폰이나 노트북 등 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다. DDR은 JEDEC(국제반도체표준협의기구)에서 규정한 D램의 표준 규격 명칭이다.

반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있다. 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이어 1a는 4세대 기술이다. 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 공급될 예정이다.

이 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 EUV 공정 기술을 통해 양산된다는 의미가 있다. 앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인했다.

공정이 극도로 미세화되면서 반도체 기업들은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇따라 도입하고 있다. 업계에서는 앞으로 EUV 활용 수준이 기술 리더십의 우위를 결정짓는 중요한 요소가 될 것으로 전망한다.

SK하이닉스는 이번에 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산하겠다는 입장이다.

SK하이닉스는 신제품의 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높일 것으로 보고 있다. 1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어났다. 전세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 SK하이닉스 측은 기대했다.

 SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어, 지난해 10월 출시한 차세대 DDR5 D램에는 내년 초부터 1a 기술을 적용한다.

SK하이닉스 1a D램 TF장 조영만 부사장은 “이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품”이라며 “EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것”이라고 말했다.