▲ 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램 [사진제공=삼성전자]

세계 최고 미세 공정 기반 1z나노 8Gb DDR4 D램 개발 완료

연내 1z나노 D램 라인업 양산해 프리미엄 메모리 시장 확대 주도

[뉴스투데이=권하영 기자] 삼성전자는 세계 최초로 ‘3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다고 21일 밝혔다.

삼성전자는 앞서 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한 지 16개월 만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발하며 다시 한번 미세공정 한계를 극복했다.

3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰으며, 속도 증가로 전력효율 역시 개선됐다.

또한, 삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료, 글로벌 IT 고객 수요를 본격 확대할 수 있게 됐다.

삼성전자는 2019년 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급할 계획이다.

아울러 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환해나갈 예정이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “미세공정 한계를 극복한 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 되었다”며 “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장을 선도하겠다”라고 강조했다.

한편, 삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있다.

특히 2020년 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축함으로써 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 계획이다.